Transistor mit Diode 600V 80A 195W Igbt TO-3P Sgh80n60ufd 20892-DI

Name: Transistor mit Diode 600V 80A 195W Igbt TO-3P Sgh80n60ufd 20892-DI
SKU: cmeei0kdf0diql104jqz8r7vn
Price: 12.8 GBP
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Transistor mit Diode 600V 80A 195W Igbt TO-3P Sgh80n60ufd 20892-DI12,80 €

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TECHNISCHE DATEN: IGBT-Transistoren TO-3P-3-Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,1 V Maximale Gate-Emitter-Spannung 20 V Kollektordauerstrom bei 25o C 80 A Verlustleistung 195 W Kollektor-Dauerstrom Ic Max 80 A Marke ON Semiconductor / Fairchild