Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 110 A 160 W, 3-Pin TO-220AB (5), Drain-Source-Widerstand max.: 5,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, MPN: IRFB7540PBF