Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 1,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, MPN: BSC014N04LSATMA1