Diodes MOSFETs 2N7002E-7-F Diodes N-Kanal MOSFET

N-Channel MOSFETs Typ Diodes 2N7000. Mit niedrigem RDS(ON), niedrigem Schwellwert, geringe Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, AEC-Q101 qualifiziert; Gehäuse: SOT23, Betriebstemperatur: –55 bis +150 °C. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDSS), Strom (ID), Widerstand RDS(ON)): 2N7002E-7-F, 60 V, 300 mA, 3,0 Ohm