Diodes Incorporated MMBT3904T-7-F Bipolartransistoren

Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I : 200 m - A · DC Stromverstärkung (h - FE): 100 · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzstrom: 10 m - A · Gehäuseart (Halbleiter ...Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I : 200 m - A · DC Stromverstärkung (h - FE): 100 · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzstrom: 10 m - A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523 · Hersteller: DIODES Incorporated · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): DIn · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 150 m - W · Montageart: Oberflächenmontage · Transistor-Typ (Kategorisierung): Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 300 MHz · Typ (Hersteller-Typ): MMBT3904T-7-F · VCE Sättigung (max.): 300 m - V