Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I : 500 m - A · DC Stromverstärkung (h - FE): 10000 · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzstrom: 100 m - A ...Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I : 500 m - A · DC Stromverstärkung (h - FE): 10000 · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung h - FE - Referenzstrom: 100 m - A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller: DIODES Incorporated · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): DIn · Kollektor Reststrom I(CES): 500 n - A · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 300 m - W · Montageart: Oberflächenmontage · Transistor-Typ (Kategorisierung): Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 125 MHz · Typ (Hersteller-Typ): MMBTA28-7-F · VCE Sättigung (max.): 1.5 V